IXTH20N65X
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH20N65X中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 320W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 20A
输入电容Ciss 1390pF @25VVds
耗散功率Max 320W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
IXTH20N65X引脚图与封装图
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| IXTH20N65X | IXYS Semiconductor | TO-247 N-CH 650V 20A | 搜索库存 |