IXFX32N80P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFX32N80P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 830W Tc
漏源极电压Vds 800 V
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 8800pF @25VVds
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFX32N80P引脚图与封装图
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在线购买IXFX32N80P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFX32N80P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 32A 3Pin3+Tab PLUS 247 | 搜索库存 |
替代型号IXFX32N80P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFX32N80P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 800V 32A 3Pin3+Tab PLUS 247 | 当前型号 |
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