IXTH12N100Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH12N100Q中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 -
漏源极电压Vds 1000 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH12N100Q引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXTH12N100Q | IXYS Semiconductor | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | 搜索库存 |