IXTP260N055T2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP260N055T2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 480W Tc
漏源极电压Vds 55 V
输入电容Ciss 10800pF @25VVds
耗散功率Max 480W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
IXTP260N055T2引脚图与封装图
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在线购买IXTP260N055T2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP260N055T2 | IXYS Semiconductor | Mosfet n-Ch 55V 260A To-220 | 搜索库存 |
替代型号IXTP260N055T2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTP260N055T2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 | 当前型号 | Mosfet n-Ch 55V 260A To-220 | 当前型号 |
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