IXFT340N075T2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
漏源极电阻 3.2 mΩ
耗散功率 935 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 19000pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 935W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFT340N075T2 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 340A 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFT340N075T2 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268-2 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 75V 340A 3Pin2+Tab TO-268 | 当前型号 | |
型号: IXFH340N075T2 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 N-CH 75V 340A | 功能相似 | N沟道 75V 340A | IXFT340N075T2和IXFH340N075T2的区别 |