IXTP7N60PM
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 41 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 1180pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 41W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 9.19 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTP7N60PM | IXYS Semiconductor | TO-220 N-CH 600V 4A | 搜索库存 |