锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IXTP7N60PM

IXTP7N60PM

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

TO-220 N-CH 600V 4A

N-Channel 600V 4A Tc 41W Tc Through Hole TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB


贸泽:
MOSFET 7 Amps 600V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin3+Tab TO-220


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220


IXTP7N60PM中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 41 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 1180pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 41W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.9 mm

高度 9.19 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTP7N60PM引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTP7N60PM
型号 制造商 描述 购买
IXTP7N60PM IXYS Semiconductor TO-220 N-CH 600V 4A 搜索库存