IXTP18N60PM
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP18N60PM中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 90W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 9A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 2500pF @25VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTP18N60PM引脚图与封装图
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在线购买IXTP18N60PM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP18N60PM | IXYS Semiconductor | TO-220 隔离的标片 | 搜索库存 |
替代型号IXTP18N60PM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTP18N60PM 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220 N-CH 600V 9A | 当前型号 | TO-220 隔离的标片 | 当前型号 |
| 型号： TK10E60W 品牌： 东芝 封装： | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3Pin3+Tab TO-220 | IXTP18N60PM和TK10E60W的区别 |