IXTP1N100
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP1N100中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 54 W
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 1.5A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 400pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 54W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTP1N100引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXTP1N100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTP1N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220AB N-CH 1000V 1.5A | 当前型号 | TO-220AB N-CH 1000V 1.5A | 当前型号 |
| 型号： IXTA1N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 N-CH 1000V 1.5A | 完全替代 | TO-263AA N-CH 1000V 1.5A | IXTP1N100和IXTA1N100的区别 |
| 型号： IXTP1R4N100P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 1kV 1.4A 3Pin3+Tab TO-220 | IXTP1N100和IXTP1R4N100P的区别 |
| 型号： IRFZ14PBF 品牌： 威世 封装： TO-220AB N-Channel 60V 10A 200mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | IXTP1N100和IRFZ14PBF的区别 |