IXFH9N80Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH9N80Q中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 9A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH9N80Q引脚图与封装图
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