IXTK20N150
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTK20N150中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1250W Tc
漏源极电压Vds 1500 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 7800pF @25VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTK20N150引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTK20N150
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTK20N150 | IXYS Semiconductor | N沟道 1.5kV 20A | 搜索库存 |
替代型号IXTK20N150
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTK20N150 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 N-CH 1500V 20A | 当前型号 | N沟道 1.5kV 20A | 当前型号 |
| 型号： IXTX20N150 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 1500V 20A | 功能相似 | N沟道 1.5kV 20A | IXTK20N150和IXTX20N150的区别 |
| 型号： TX20 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 20A ID, 1500V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IXTK20N150和TX20的区别 |