IXFR44N80P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFR44N80P中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 190 mΩ
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 12000pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFR44N80P引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
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