IXFH18N90P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH18N90P中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 540 W
漏源极电压Vds 900 V
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 5230pF @25VVds
额定功率Max 540 W
下降时间 44 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXFH18N90P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFH18N90P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH18N90P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 18A 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |
替代型号IXFH18N90P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFH18N90P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-Channel | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 900V 18A 3Pin3+Tab TO-247 | 当前型号 |
| 型号： IXFT18N90P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 N-CH 900V 18A | 功能相似 | TO-268 N-CH 900V 18A | IXFH18N90P和IXFT18N90P的区别 |
| 型号： IXFV18N90P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 900V 18A | 功能相似 | PLUS N-CH 900V 18A | IXFH18N90P和IXFV18N90P的区别 |
| 型号： IXFV18N90PS 品牌： IXYS Semiconductor 封装： PLUS220 N-CH 900V 18A | 功能相似 | PLUS220 N-CH 900V 18A | IXFH18N90P和IXFV18N90PS的区别 |