IXFN102N30P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFN102N30P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.033 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 570 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 300 V
漏源击穿电压 300 V
连续漏极电流Ids 86A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 7500pF @25VVds
额定功率Max 600 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 570000 mW
封装参数
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20
IXFN102N30P引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
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