IXTT1N450HV

IXYS Semiconductor 分立器件

N沟道 4.5kV 1A

表面贴装型 N 通道 1A（Tc） 520W（Tc） TO-268

得捷:
MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

立创商城:
N沟道 4.5kV 1A

贸泽:
MOSFET 4500V 1A HV Power MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 4.5KV 1A 3-Pin2+Tab TO-268

Verical:
Trans MOSFET N-CH 4.5KV 1A 3-Pin2+Tab TO-268

IXTT1N450HV中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 80 Ω

极性 N-CH

耗散功率 520 W

阈值电压 3.5V ~ 6V

漏源极电压Vds 4500 V

漏源击穿电压 4500 V

连续漏极电流Ids 1A

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 1730pF @25VVds

下降时间 127 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 520W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTT1N450HV引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IXTT1N450HV

型号	制造商	描述	购买
IXTT1N450HV	IXYS Semiconductor	N沟道 4.5kV 1A	搜索库存