IXTH1N200P3HV

IXYS Semiconductor 分立器件

TO-247HV N-CH 2000V 1A

N-Channel 2000V 1A Tc 125W Tc Through Hole TO-247HV

得捷:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin3+Tab TO-247HV

IXTH1N200P3HV中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 2000 V

连续漏极电流Ids 1A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 646pF @25VVds

下降时间 80 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IXTH1N200P3HV引脚图与封装图

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