IXFK32N50Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 416 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 32A
输入电容Ciss 3950pF @25VVds
额定功率Max 416 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 416W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFK32N50Q | IXYS Semiconductor | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 搜索库存 |