IXTP42N15T

IXYS Semiconductor 分立器件

TO-220 N-CH 150V 42A

通孔 N 通道 42A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 150V 42A TO220AB

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin3+Tab TO-220

IXTP42N15T中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 200W Tc

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 42A

输入电容Ciss 1880pF @25VVds

额定功率Max 200 W

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTP42N15T引脚图与封装图

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