IXFA8N50P3

IXYS Semiconductor 分立器件

TO-263AA N-CH 500V 8A

N-Channel 500V 8A Tc 180W Tc Surface Mount TO-263 IXFA

得捷:
MOSFET N-CH 500V 8A TO263

IXFA8N50P3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 180W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 8A

输入电容Ciss 705pF @25VVds

耗散功率Max 180W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFA8N50P3引脚图与封装图

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