IXFB30N120P

IXYS Semiconductor 分立器件

N-Channel 1200V 30A 350mΩ Through Hole PolarP HiPerFET Power Mosfet- PLUS-264

N-Channel 1200V 30A Tc 1250W Tc Through Hole PLUS264™

得捷:
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264

立创商城:
IXFB30N120P

贸泽:
MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 3-Pin3+Tab PLUS 264

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 30A; 1250W; PLUS264; 300ns

Win Source:
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264

IXFB30N120P中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.25 kW

阈值电压 6.5 V

漏源极电压Vds 1200 V

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 22500pF @25VVds

额定功率Max 1250 W

下降时间 56 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 20.29 mm

宽度 5.31 mm

高度 26.59 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFB30N120P引脚图与封装图

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