IXKK85N60C
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IXYS Semiconductor
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 30 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 -
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 85A
上升时间 27 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
高度 26.59 mm
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXKK85N60C | IXYS Semiconductor | IXKK 系列 单 N 沟道 600 V 36 mOhm 700 W 功率 Mosfet - TO-264 | 搜索库存 |