IXTR170P10P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTR170P10P中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 312 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 108A
上升时间 75 ns
输入电容Ciss 12600pF @25VVds
额定功率Max 312 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 312W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTR170P10P引脚图与封装图
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