IRF6728MTRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF6728MTRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 75 W
极性 N-Channel
耗散功率 2.1W Ta, 75W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 23A
上升时间 34 ns
输入电容Ciss 4110pF @15VVds
下降时间 19 ns
耗散功率Max 2.1W Ta, 75W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 Direct-FET
外形尺寸
封装 Direct-FET
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF6728MTRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF6728MTRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF6728MTRPBF | Infineon 英飞凌 | Direct-FET N-CH 30V 23A | 搜索库存 |
替代型号IRF6728MTRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF6728MTRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： Direct-FET N-Channel 30V 23A | 当前型号 | Direct-FET N-CH 30V 23A | 当前型号 |
| 型号： IRF6728MPBF 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Direct-FET N-CH 30V 23A | IRF6728MTRPBF和IRF6728MPBF的区别 |
| 型号： 728MT 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 23A ID, 30V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3 | IRF6728MTRPBF和728MT的区别 |