IXFH52N50P2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH52N50P2中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 960W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 52A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 6800pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 960W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH52N50P2引脚图与封装图
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在线购买IXFH52N50P2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH52N50P2 | IXYS Semiconductor | N沟道 500V 52A | 搜索库存 |
替代型号IXFH52N50P2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFH52N50P2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 500V 52A | 当前型号 | N沟道 500V 52A | 当前型号 |
| 型号： IXFT52N50P2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 500V 52A 3Pin2+Tab TO-268 | IXFH52N50P2和IXFT52N50P2的区别 |
| 型号： IXTQ480P2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 N-CH 500V 52A | 功能相似 | N沟道 500V 52A | IXFH52N50P2和IXTQ480P2的区别 |