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IXFE34N100

IXFE34N100

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

Trans MOSFET N-CH 1kV 30A 4Pin ISOPLUS 227

N-Channel 1000V 30A Tc 580W Tc Chassis Mount SOT-227B


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 30A 4-Pin ISOPLUS 227


IXFE34N100中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 580W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

输入电容Ciss 15000pF @25VVds

耗散功率Max 580W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFE34N100引脚图与封装图
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在线购买IXFE34N100
型号 制造商 描述 购买
IXFE34N100 IXYS Semiconductor Trans MOSFET N-CH 1kV 30A 4Pin ISOPLUS 227 搜索库存
替代型号IXFE34N100
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXFE34N100

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOT-227

当前型号

Trans MOSFET N-CH 1kV 30A 4Pin ISOPLUS 227

当前型号

型号: IXFL38N100Q2

品牌: IXYS Semiconductor

封装: ISOPLUS264

功能相似

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IXFE34N100和IXFL38N100Q2的区别

型号: IXFL34N100

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-264-3

功能相似

Trans MOSFET N-CH 1kV 30A 3Pin3+Tab ISOPLUS 264

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