
耗散功率 580W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
输入电容Ciss 15000pF @25VVds
耗散功率Max 580W Tc
安装方式 Chassis
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFE34N100 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1kV 30A 4Pin ISOPLUS 227 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFE34N100 品牌: IXYS Semiconductor 封装: SOT-227 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 1kV 30A 4Pin ISOPLUS 227 | 当前型号 | |
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