IXFT50N50P3
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFT50N50P3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 125 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 960W Tc
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 4335pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 960W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFT50N50P3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
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