IXTP1R6N50D2

IXYS Semiconductor 分立器件

TO-220AB N-CH 500V 1.6A

N-Channel 500V 1.6A Tc 100W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB

贸泽:
MOSFET N-CH MOSFETS D2 500V 1.6A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB / N-Channel 500 V 1.6A Tc 100W Tc Through Hole TO-220-3

IXTP1R6N50D2中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 2.3 Ω

极性 N-CH

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 1.6A

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 645pF @25VVds

下降时间 41 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTP1R6N50D2引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IXTP1R6N50D2

型号	制造商	描述	购买
IXTP1R6N50D2	IXYS Semiconductor	TO-220AB N-CH 500V 1.6A	搜索库存