IRG7T300HF12B
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 42.4nF @25V
额定功率Max 1600 W
封装 POWIRR 62 Module
封装 POWIRR 62 Module
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRG7T300HF12B | Infineon 英飞凌 | MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRG7T300HF12B 品牌: Infineon 英飞凌 封装: POWIRR | 当前型号 | MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62 | 当前型号 | |
型号: MG12400D-BN2MM 品牌: 力特 封装: Module 1925000mW | 功能相似 | LITTELFUSE MG12400D-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 580A, 1.7V, 1.925kW, 1.2kV, Module | IRG7T300HF12B和MG12400D-BN2MM的区别 |