IXTL2N450
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTL2N450中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 23 Ω
极性 N-CH
耗散功率 220 W
阈值电压 3.5V ~ 5.5V
漏源极电压Vds 4500 V
漏源击穿电压 4500 V
连续漏极电流Ids 2A
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 6900pF @25VVds
下降时间 205 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 220W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUS-i4-PAK-3
外形尺寸
封装 ISOPLUS-i4-PAK-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTL2N450引脚图与封装图
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