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IRLS3813PBF

IRLS3813PBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 30V 247A

表面贴装型 N 通道 30 V 160A(Tc) 195W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK


贸泽:
MOSFET 30V Single N-Channel HEXFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 247A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin D2PAK Tube


IRLS3813PBF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.6 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 195 W

阈值电压 2.35 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 247A

上升时间 202 ns

输入电容Ciss 8020pF @25VVds

下降时间 102 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 195W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IRLS3813PBF引脚图与封装图
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