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IRGS4630DTRRPBF

IRGS4630DTRRPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 47A 206000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R

IGBT - 600 V 47 A 206 W 表面贴装型 D2PAK


得捷:
IGBT 600V 47A 206W D2PAK


贸泽:
IGBT Transistors 600V TRENCH IGBT ULTRAFAST


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 47A 206000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 47A 3-Pin D2PAK T/R


IRGS4630DTRRPBF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 206 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 100 ns

额定功率Max 206 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 206000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRGS4630DTRRPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRGS4630DTRRPBF Infineon 英飞凌 Trans IGBT Chip N-CH 600V 47A 206000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R 搜索库存
替代型号IRGS4630DTRRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRGS4630DTRRPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-263-3 206000mW

当前型号

Trans IGBT Chip N-CH 600V 47A 206000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R

当前型号

型号: IRGS4630DPBF

品牌: 英飞凌

封装: TO-263AB 206000mW

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