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IPP220N25NFDAKSA1

IPP220N25NFDAKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS FD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP220N25NFDAKSA1, 61 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装

OptiMOS™ FD 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3


欧时:
Infineon OptiMOS FD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP220N25NFDAKSA1, 61 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 61A; 300W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3 / N-Channel 250 V 61A Tc 300W Tc Through Hole PG-TO220-3


IPP220N25NFDAKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 300 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 61A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 7076pF @125VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 DC-AC inverter, Class D audio amplifier, for 48-110V systems

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPP220N25NFDAKSA1引脚图与封装图
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IPP220N25NFDAKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS FD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP220N25NFDAKSA1, 61 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装 搜索库存