IPI60R190C6XKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道 600V 20.2A

通孔 N 通道 600 V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3

得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262-3

立创商城:
N沟道 600V 20.2A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

IPI60R190C6XKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 151 W

极性 N-Channel

耗散功率 151 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20.2A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1400pF @100VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 151W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

IPI60R190C6XKSA1引脚图与封装图

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