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IPD70N10S312ATMA1

IPD70N10S312ATMA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N10S312ATMA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

OptiMOS™T 功率 MOSFET

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品（符合 RoHS 标准）


立创商城:
N沟道 100V 70A


得捷:
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3


欧时:
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N10S312ATMA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin2+Tab TO-252


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3


IPD70N10S312ATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 70A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 4355pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 HID lighting, 48V inverter, 48V DC/DC

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPD70N10S312ATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD70N10S312ATMA1
型号 制造商 描述 购买
IPD70N10S312ATMA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N10S312ATMA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 搜索库存
替代型号IPD70N10S312ATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPD70N10S312ATMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL N-Channel 100V 70A

当前型号

Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N10S312ATMA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

当前型号

型号： IPB70N10S3-12

品牌： 英飞凌

封装： TO-263 N-Channel 100V 70A

完全替代

INFINEON  IPB70N10S3-12  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0094 ohm, 10 V, 3 V

IPD70N10S312ATMA1和IPB70N10S3-12的区别

型号： IPD70N10S3-12

品牌： 英飞凌

封装： TO-252-3 N-Channel 100V 70A

类似代替

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IPD70N10S312ATMA1和IPD70N10S3-12的区别

型号： BSC109N10NS3G

品牌： 英飞凌

封装： TDSON N-Channel

功能相似

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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