IRG8P25N120KD-EPBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

IGBT 晶体管 1200V IGBT GEN8

IGBT - 1200 V 40 A 180 W 通孔 TO-247AD

得捷:
IGBT 1200V 40A TO247AD

贸泽:
IGBT 晶体管 1200V IGBT GEN8

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 40A 3-Pin TO-247AD Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube

IRG8P25N120KD-EPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 180 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 70 ns

额定功率Max 180 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 180000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRG8P25N120KD-EPBF引脚图与封装图

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