IPI120N06S402AKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI120N06S402AKSA1, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装

OptiMOS™ T2 功率 MOSFET

Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET ，可减少 CO2 并采用电力驱动。新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

AEC 合格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品（符合 RoHS 标准）

IPI120N06S402AKSA1中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 188W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 12120pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 188W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

IPI120N06S402AKSA1引脚图与封装图

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