IPI80N06S2L11AKSA2
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPI80N06S2L11AKSA2中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 158W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 2075pF @25VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 158W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Lighting, Solenoids control, Single-ended motors, Valves control
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
IPI80N06S2L11AKSA2引脚图与封装图
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在线购买IPI80N06S2L11AKSA2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPI80N06S2L11AKSA2 | Infineon 英飞凌 | N-CH 55V 80A | 搜索库存 |
替代型号IPI80N06S2L11AKSA2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPI80N06S2L11AKSA2 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-262-3 N-CH 55V 80A | 当前型号 | N-CH 55V 80A | 当前型号 |
| 型号： IPI80N06S2L11AKSA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-262 N-CH 55V 80A | 完全替代 | Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S2L11AKSA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装 | IPI80N06S2L11AKSA2和IPI80N06S2L11AKSA1的区别 |