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IPD031N03LGBTMA1

IPD031N03LGBTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD031N03LGBTMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


得捷:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD031N03LGBTMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD031N03LGBTMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 94W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 90A

输入电容Ciss 5300pF @15VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 94W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPD031N03LGBTMA1引脚图与封装图
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IPD031N03LGBTMA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD031N03LGBTMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 搜索库存