IPI65R110CFDXKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

TO-262 N-CH 700V 31.2A

通孔 N 通道 650 V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO262-3

得捷:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262-3

贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO262-3

IPI65R110CFDXKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 277.8 W

极性 N-CH

耗散功率 277.8W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 31.2A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 3240pF @100VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 277.8W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IPI65R110CFDXKSA1引脚图与封装图

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IPI65R110CFDXKSA1	Infineon 英飞凌	TO-262 N-CH 700V 31.2A	搜索库存

替代型号IPI65R110CFDXKSA1

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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