IGP10N60TXKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

IGBT NPT, Trench Field Stop 600V 20A 110W Through Hole PG-TO220-3

得捷:
IGBT 600V 20A TO220-3

欧时:
Infineon IGBT Transistor IGP10N60TXKSA1

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

IGP10N60TXKSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 110000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 110 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 110000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Other hard switching applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IGP10N60TXKSA1引脚图与封装图

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