
耗散功率 77000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 74 ns
额定功率Max 77 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 77000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting HID, Refridgeration
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRGR4610DTRPBF | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 77000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRGR4610DTRPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: DPAK-3 77000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 77000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 | |
型号: IRGR4610DTRLPBF 品牌: 英飞凌 封装: TO-252-3 77000mW | 完全替代 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 77000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | IRGR4610DTRPBF和IRGR4610DTRLPBF的区别 | |
型号: IRGR4610DPBF 品牌: 英飞凌 封装: TO-252AA 77000mW | 类似代替 | INFINEON IRGR4610DPBF 单晶体管, IGBT, 16 A, 1.7 V, 77 W, 600 V, TO-252AA, 3 引脚 | IRGR4610DTRPBF和IRGR4610DPBF的区别 |