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IPI90R500C3XKSA1

IPI90R500C3XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI90R500C3XKSA1, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI90R500C3XKSA1, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装


得捷:
MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3


贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin TO-262 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6.8A; 156W; PG-TO262-3


IPI90R500C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 156 W

极性 N-Channel

耗散功率 156W Tc

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 20 ns

正向电压Max 1.2 V

输入电容Ciss 1700pF @100VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 156W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

IPI90R500C3XKSA1引脚图与封装图
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IPI90R500C3XKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI90R500C3XKSA1, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装 搜索库存