IGP06N60TXKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IGP06N60TXKSA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 88000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 88 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 88000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Other hard switching applications
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IGP06N60TXKSA1引脚图与封装图
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在线购买IGP06N60TXKSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IGP06N60TXKSA1 | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Tube | 搜索库存 |
替代型号IGP06N60TXKSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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