IRG7PG35UPBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1000V 55A 3Pin TO-247AC Tube

IGBT 沟道 1000 V 55 A 210 W 通孔 TO-247AC

得捷:
IGBT 1000V 55A 210W TO247AC

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 55A 210000mW Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 55A 3-Pin TO-247AC Tube

IRG7PG35UPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 210000 mW

击穿电压集电极-发射极 1000 V

额定功率Max 210 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 210000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRG7PG35UPBF引脚图与封装图

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