IPU50R1K4CEBKMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™ CE 功率 MOSFET

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

得捷:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3

欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPU50R1K4CEBKMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 IPAK TO-251封装

贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; IPAK

IPU50R1K4CEBKMA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 25 W

极性 N-CH

耗散功率 42 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 3.1A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 178pF @100VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.41 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPU50R1K4CEBKMA1引脚图与封装图

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