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IPD65R1K4CFDATMA1

IPD65R1K4CFDATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 650V 2.8A

N-Channel 650V 2.8A Tc 28.4W Tc Surface Mount PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 2.8A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650MinV 2.8A 3-Pin TO-252 T/R


IPD65R1K4CFDATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 28.4W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 2.8A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 262pF @100VVds

下降时间 18.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 28.4W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPD65R1K4CFDATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPD65R1K4CFDATMA1 Infineon 英飞凌 DPAK N-CH 650V 2.8A 搜索库存
替代型号IPD65R1K4CFDATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD65R1K4CFDATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 650V 2.8A

当前型号

DPAK N-CH 650V 2.8A

当前型号

型号: IPD65R1K4CFDBTMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 700V 2.8A

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