IPD04N03LB G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD04N03LB G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 A
耗散功率 115W Tc
输入电容 5.20 nF
栅电荷 40.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
输入电容Ciss 5200pF @15VVds
额定功率Max 115 W
耗散功率Max 115W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD04N03LB G引脚图与封装图
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在线购买IPD04N03LB G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD04N03LB G | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin2+Tab TO-252 | 搜索库存 |
替代型号IPD04N03LB G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD04N03LB G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252 30V 50A 5.2nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin2+Tab TO-252 | 当前型号 |
| 型号： IPD040N03LGATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-Channel 30V 90A | 类似代替 | Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03LGATMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 | IPD04N03LB G和IPD040N03LGATMA1的区别 |