IGW30N100TFKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech

IGBT 沟槽型场截止 1000 V 60 A 412 W 通孔 PG-TO247-3

得捷:
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

贸泽:
IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin3+Tab TO-247

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Win Source:
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

IGW30N100TFKSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 412 W

击穿电压集电极-发射极 1000 V

额定功率Max 412 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 412000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Other hard switching applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IGW30N100TFKSA1引脚图与封装图

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