IRGS10B60KDTRRP
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRGS10B60KDTRRP中文资料参数规格
技术参数
额定功率 156 W
耗散功率 156000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 90 ns
额定功率Max 156 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 156000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Washing Machine
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
IRGS10B60KDTRRP引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRGS10B60KDTRRP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRGS10B60KDTRRP | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 156000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号IRGS10B60KDTRRP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRGS10B60KDTRRP 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263-3 156000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 156000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： IRGS10B60KDTRLP 品牌： 英飞凌 封装： TO-263-3 156000mW | 完全替代 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 156000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | IRGS10B60KDTRRP和IRGS10B60KDTRLP的区别 |