IRG7PH42UD1MPBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 85A 313000mW 3Pin3+Tab TO-247AD Tube

IGBT 沟道 85 A 313 W 通孔 TO-247AD

得捷:
IGBT 1200V 85A 313W TO247AD

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 85A 313000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube

Win Source:
IGBT 1200V 85A 313W TO247AD / IGBT Trench 1200 V 85 A 313 W Through Hole TO-247AD

IRG7PH42UD1MPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 313000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 313 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 313000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRG7PH42UD1MPBF引脚图与封装图

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