IRF7326D2TRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7326D2TRPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 2W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.6A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 440pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IRF7326D2TRPBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7326D2TRPBF | Infineon 英飞凌 | SOIC P-CH 30V 3.6A | 搜索库存 |
替代型号IRF7326D2TRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7326D2TRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： P-CH 30V 3.6A | 当前型号 | SOIC P-CH 30V 3.6A | 当前型号 |
| 型号： IRF7326D2PBF 品牌： 英飞凌 封装： SOIC P-CH 30V 3.6A | 完全替代 | SOIC P-CH 30V 3.6A | IRF7326D2TRPBF和IRF7326D2PBF的区别 |
| 型号： IRF7326D2TR 品牌： 英飞凌 封装： SOIC P-CH 30V 3.6A | 完全替代 | SOIC P-CH 30V 3.6A | IRF7326D2TRPBF和IRF7326D2TR的区别 |